زبان ترجمه: انگلیسی به فارسی
زمینه ترجمه: برق و الکترونیک
موضوع نمونه ترجمه: نمونه ترجمه مقاله برق و الکترونیک با موضوع دیودهای نوری بهمنی مبتنی بر سیستم مواد AlInAsSb
کاربر گرامی ، متن زیر نمونه ترجمه تخصصی مقاله برق و الکترونیک از مترجم شماره 360 می باشد. در صورتی که سبک ترجمه وي را پسندیده اید می توانید هنگام ثبت سفارش ، سفارش ترجمه خود را به این مترجم ارجاع دهید. براي این کار بعد از ثبت نام در سایت هنگام ثبت سفارش ترجمه خود عدد 360 را در قسمت کد مترجم وارد نمایید تا سفارش شما توسط همین مترجم ترجمه شود.
oVER the past five decades avalanche photodiodes (APDs) have been utilized for a wide range of commercial, military, and research applications. Optical fiber communications has been one of the primary drivers for recent advances in APD performance, particularly structures and materials designed for low noise and high gain-bandwidth product in the short-wavelength infrared spectrum. The two most common photodetectors for optical receivers are p-i-n photodiodes and APDs. P-i-n photodiodes have the advantages of low bias, uncomplicated bias circuits without temperature control, and high reliability. APDs on the other hand, operate at 10’s of volts bias, often require temperature stabilization, and are more susceptible to failure than p-i-n’s. These disadvantages are offset by the potential for APDs to achieve higher receiver sensitivity, owing to their internal gain. The primary source of noise in a p-i-n photodiode is the shot noise of the dark and signal currents. This is typically less than that of the following circuitry. The shot noise of an APD is multiplied by the square of the average gain since the current increases linearly with gain.
در طول پنج دهه گذشته، دیودهای نوری بهمنی (APD) برای دامنه وسیعی از کارکردهای تجاری، نظامی و تحقیقاتی مورد استفاده قرار گرفتند. ارتباطات فیبر نوری یکی از محرکهای اصلی پیشرفتهای اخیر در زمینه عملکرد APDها است، بخصوص ساختارها و مواد طراحی شده برای نویز پایین و حاصلضرب بالای بهره-پهنای باند در طیف مادون قرمز با طول موج کوتاه. دو دیود نوری رایج برای گیرندههای نوری عبارتند از: دیودهای نوریp-i-n و APDها. دیودهای نوریp-i-n دارای مزایای بایاس پایین، مدارات با بایاس غیرپیچیده بدون کنترل دما، و قابلیت اطمینان بالا هستند. از طرف دیگر، APDSها با مقدار بایاس ده ها ولت کار میکنند، و معمولاً نیازمند پایدار سازی دما هستند. آنها آسیبپذیری زیادی در برابر خرابی نسبت به دیودهای نوریp-i-n دارند. این معایب به واسطه پتانسیل APDSها جهت دستیابی به حساسیت بالا در گیرنده به واسطه بهره داخلی آنها، جبران میشوند. منبع اصلی نویز در یک دیود نوریp-i-n ، نویز شلیکی جریانهای تاریکی و سیگنال است. این معمولاً کمتر از مدارات زیر میباشد. نویز شلیکی یک APD در مربع بهره متوسط ضرب میشود، زیرا جریان بصورت خطی با بهره افزایش پیدا میکند.
ثبت سفارش ترجمه برق و الکترونیک
کلمات کلیدي مرتبط :کلمات کلیدي مرتبط :نمونه ترجمه متن مهندسی برق و الکترونیک، ترجمه تخصصی متون مهندسی برق، ترجمه تخصصی مقاله مهندسی برق، ترجمه تخصصی متون برق، ترجمه دانشجویی و ارزان رشته برق، ترجمه فوری مقاله رشته برق ، ترجمه انگلیسی به فارسی مقاله مهندسی برق ، ترجمه انگلیسی به فارسی برق و الکترونیک ترجمه تخصصی پایان نامه رشته برق و الکترونیک، نمونه ترجمه رایگان، ترجمه مقاله دیودهای نوری بهمنی مبتنی بر سیستم مواد AlInAsSb InGaAs/InP, silicon, photodiode, photodetector